光电子材料与技术研究所博士生王幸福的研究成果在Nanoscale上发表

09.09.2014  13:42
              近日,光电子材料与技术研究所李述体研究员指导的2013级博士生王幸福,在英国皇家化学学会旗下纳米技术领域国际顶尖期刊Nanoscale(SCI一区,影响因子6.739)上发表了题为“Ultrafast, superhigh gain visible-blind UV detector and optical logic gates based on nonpolar a-axial GaN nanowire”(DOI: 10.1039/C4NR03581J)的研究论文。
              该研究利用GaN在Si衬底不同晶面的异质生长特性,成功制备出尺寸、密度、物理和化学物性高度可控的GaN基纳米线,并在此基础之上,探索出GaN单根纳米线紫外探测器的研制方法并系统地研究了器件的性能,研究结果发现该器件具有超快的紫外响应,灵敏度达104数量级,外量子效率达105数量级,实现了基于单根半导体纳米线器件的超快速、高灵敏度、高效率的紫外探测。利用器件对紫外光优良的响应特性,通过对单根纳米线器件合理地组装,该研究继续探索并搭建了光学逻辑门器件,实现了光学逻辑“与”门和逻辑 “或”门操作。该项研究不仅实现了性能优良的单根纳米线紫外探测器的研制,同时也开拓了纳米线器件在逻辑存储器件方面的应用,具有重要的理论价值和应用前景。在此工作基础上,课题组将继续在InGaN/GaN、AlGaN/GaN核壳结构纳米线制备,纳米压电器件、纳米气敏器件等方面开展研究。
            此前,王幸福还在英国皇家化学学会顶级化学期刊Chemical Communication(影响因子6.718,Vol. 50, pp. 682-684 (2014))上发表纳米线制备论文,并实现光泵浦激光。