华南理工学子再获中国青少年科技创新最高奖

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  颁奖大会现场

　　8月22日，在纪念邓小平同志诞辰112周年之际，第十届中国青少年科技创新奖颁奖大会在北京人民大会堂举行。中共中央政治局委员、国务院副总理刘延东，中共中央政治局委员、国家副主席李源潮等出席大会并为获奖代表颁奖，团中央书记处第一书记秦宜智主持会议。华南理工大学材料科学与工程学院材料物理与化学专业2012级博士生刘佰全喜获“中国青少年科技创新奖”，成为第8位获此殊荣的华南理工学子。在全国高校中，获奖人数名列前茅。

　　刘佰全于2011年进入华南理工大学电子与信息学院微电子学与固体电子学专业攻读硕士，2012年转入材料科学与工程学院攻读材料物理与化学博士学位。在校期间，以第一作者身份发表了24篇SCI论文和2篇EI论文，其中SCI论文影响因子大于9.0的4篇，大于3.0的论文14篇，总影响因子和大于100；申请了国家发明专利10项；先后获得第十届中国大学生年度人物  (全国仅十人)、第十四届“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛二等奖、第十三届“挑战杯”广东省大学生课外学术科技作品竞赛特等奖等众多荣誉与奖项。

刘佰全

　　他首次采用低于1纳米的发光层实现了杂化白光OLED，被Nature Photonics收录为研究亮点；研发出首个长寿命杂化白光OLED，在Nature 出版集团期刊Scientific Reports发表；通过探索主客体掺杂体系中客体对光色稳定性等物理机制问题，研发出首个色坐标极度稳定的单发光层磷光白光OLED，发表在Materials Horizons上(期刊影响因子9.095)；通过调控OLED中电荷和激子的分布，实现了性能最好的深蓝色聚集诱导发光OLED，并在此基础上首次研发出含蓝色聚集诱导发光材料的高性能杂化白光OLED，且研发出首个具有太阳光特性的杂化白光OLED，以长篇论文的形式发表在Advanced Functional Materials上  (期刊影响因子为11.382)；通过探索超薄发光层在非掺杂白光OLED中的应用，研发出一系列高性能白光OLED，发表在Nano Energy上  (期刊影响因子为11.553)；通过对电荷传输、电荷陷阱、激子扩散、激子俘获等发光物理问题的探索，研发出极高效率且极简结构的白光OLED，发表在光学顶尖期刊Light: Science & Applications上  (期刊影响因子为13.6)。

　　据悉，“中国青少年科技创新奖”是中国青少年科技创新领域的最高荣誉，是按照邓小平同志遗愿，经党中央批准，于2004年邓小平同志诞辰100周年之际设立。该奖专门用于对科技创新方面取得突出成绩或显示较大潜力的青少年个人进行奖励，由共青团中央、全国青联、全国学联、全国少工委组织评选，每届奖励表彰100人左右。今年共遴选出研究生(硕士及博士)28人，大学本专科生33人，中小学生38人。（图文/校团委 编辑/许颖）

附：华南理工大学学生历届获得“中国青少年科技创新奖”情况汇总