陈如麒老师指导的本科生在国际期刊《Ceramics International》发表高水平论文
近日，我校公共基础课实验教学中心高级实验师陈如麒指导的电子工程学院光电信息科学与工程专业2015级本科生蔡怀祖等，在《Ceramics International》上发表题为：All-inorganic perovskite Cs4PbBr6 thin films in optoelectronic resistive switching memory devices with a logic application的研究论文。《Ceramics International》为SCI 检索国际期刊，JCR分区为工程技术类2区，2017年影响因子为3.057。（文章在线网址： https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0272884218334126 ）。
该论文第一作者为蔡怀祖，陈如麒老师为通讯作者，共同作者还有劳媚媚、徐军、卢少然老师，以及本科生陈榆凯、钟楚杰。
陈如麒研究团队通过研究，利用无机卤化物钙钛矿独特的物理化学性质和薄膜器件的优异光电性能，合理地采用Cs4PbBr6钙钛矿薄膜作为阻变层，首次研究了在白金基底上Au/Cs4PbBr6/PEDOT:PSS/Pt结构的阻变存储器，证明了该器件具有低操作电压、耐久性和可重复性良好等优点，发现Cs4PbBr6薄膜阻变性能对光照灵敏，去掉光源，器件光致阻变性能随之消失，提出该器件的阻变机制归因于Br导电丝在无机卤化物Cs4PbBr6薄膜内部的形成和断裂。
这一研究成果为理解和设计无机卤化物钙钛矿的光电子器件提供了可能，突破了传统阻变存储器的局限，并为安全存储设备、一次性电子器件和零浪费电子设备的研究提供了新的思路。
阻变存储器（简称为RRAM）被认为是下一代存储技术的发展方向。具非易失性的RRAM是由堆叠材料组成的内存单元，两端施加电压，引起电阻变化，并用“0”和“1”记录数据，可被计算机读写，应用于内存中。随着科技的发展，物联网、大数据、人工智能等对存储技术提出了更高的要求，快速、大容量、低功耗、高密度的存储方式成为发展趋势，芯片制造商们也在不断寻找用于替代传统存储方式的新一代存储技术，是目前研究的热点。近年来，金属氧化物、氮化物及硫化物等薄膜已被证实具有良好的电阻转变特性，科研人员正在努力探索新型的阻变材料、先进的工艺技术、性能优异的器件结构和器件的阻变机制。
该论文是智能开放实验平台支撑大学生创新项目研究、高层次教师带动学生自主研究的结果，培育了我校本科生的研究创新能力。（文／公共基础课实验教学中心 蔡晓鹏 图／ 陈如麒）
(责任编辑：蒙丽）